基于InSe的二维材料的自旋注入文献综述

 2021-10-23 09:10

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2004年,石墨烯成功地通过机械剥离块体石墨烯得到,一片医学胶带揭开了探索多彩二维世界的大门。

作为一种纳米薄膜材料,二维材料的厚度通常为原子级,由可控层数的原子或分子堆叠而成。

层内较强的共价键连接相邻的原子,而层间存在较弱的范德华作用;这赋予了二维材料良好的延展性、柔韧性、透光性,并通过限制电子在二维平面内运动从而表现出独特的光电性质。

由于二维材料具有独特的形态结构和物理性质,这使得基于二维材料的电子和光电器件具有重量轻、体积小和能耗低等特性,能够满足航空航天及便携电子器件等领域实际应用的需求。

1 显而易见地,这促使二维材料成为近年来各个领域研究的热点。

二维材料世界丰富繁杂,本文仅主要关注半导体型二维材料中的IIIA-VIA族InSe。

三维块状硒化铟是层状结构,根据层与层之间堆叠方式的区别,以β-InSe,ε-InSe 和 γ-InSe三种稳定的多型体存在。

2016年11月,Andre K. Geim首次发现并成功制备了单层硒化铟。

2 由此,科研人员得以围绕基于InSe的二维材料展开大量研究。

前期对块状硒化铟的研究表明其室温下具有较高的载流子迁移率和较小的电子有效质量,呈直接带隙特征且能够进行光吸收、光发射等光学活动。

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