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磁电阻(MR)效应是指外加磁场导致电阻变化的现象，磁电阻通常表示为式中，R(0)、R(H)分别为零场和磁场下的电阻 [1]。
在诸如金属、合金及半导体等非磁性材料中，几乎都存在着磁电阻效应。
这是因为在外磁场的作用下，传导电子将发生偏转或作回转运动，散射截面增大，样品的电阻增大，从而具有正的磁电阻效应。
在磁性材料中，样品的输运性质与其磁化状态有关。
在无外磁场的情况下，磁矩之间的夹角比较大，电子的输运能力较弱，当加上外磁场后，磁矩之间的夹角变小，电子的输运能力变强，显现出负的磁电阻效应。
1988年A. Fert和P. Grnberg发现Fe/Cr多层膜中的巨磁阻(giant magnetoresistance, GMR)效应，并因此荣获2007年诺贝尔物理学奖。
GMR效应的发现，推动了自旋电子学的诞生。
1992年，Chen 和Berkowitz 又分别独立报道了Co-Cu金属颗粒膜中的GMR效应[2,3]，它和多层膜中的GMR效应一样，都来自于传导电子自旋相关的散射。
随后在Fe/Al2O3/Fe隧道结[4]以及在Co(Ni)-SiO2颗粒膜[5]中发现了基于自旋极化的传导电子隧穿过绝缘势垒的隧道磁电阻(tunneling magnetoresistance, TMR)效应。
研究还发现在单晶或外延的掺杂锰氧化物中在很强的磁场下，在其金属绝缘体转变点附近还存在特大的磁电阻(colossal magnetoresistance, CMR)效应[6]。
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