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一、巨磁阻效应及自旋阀磁阻（GR）材料的电阻随着外加磁场的变化而变化，即电阻是外加磁场的函数，这种现象称为磁电阻效应，简称磁阻效应。
电阻率的变化△ρ=ρ(H)-ρ(0)，其中ρ(H)和ρ(0)分别表示材料在磁场大小为H和零时的电阻率，其变化的大小可表示为MR=△ρ/ρ100%，其中ρ可以是ρ(0)或是ρ(H)，为ρ(0)时，MR的最大值为100%,为ρ(H)时，MR可以超过100%。
通常材料的MR＜5%。
[1]巨磁阻效应，即GMR（Giant Magneto Resistance），是指在磁性材料和非磁性材料相间的多层膜中,电阻率在有外磁场作用时较之无外磁场作用时存在巨大变化的现象。
现出巨磁阻效应的多分子结构必须由至少两层铁磁层组成，同时它们之间有一层薄薄的非磁性层将它们隔开。
[2,3]当磁场增强时，电阻率下降，且温度越低，变化越大。
在为4.2K时，电阻率的变化率最大可达50%。
变化率的大小和饱和磁场Hs以及多层膜的结构（各层的厚度和层数）有关。
在室温条件下，多种多层膜的变化率可达11%左右。
实验也发现在一定结构下（Cu/Co)N多层膜也有大的磁电阻效应。
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