Hf掺杂BCT无铅压电陶瓷的制备及性能研究文献综述-文献综述网

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文献综述1.1前言随着物联网技术的发展，电子器件非常受人们喜爱，电子器件中的电子陶瓷材料的研究和开发也越来越受到研究者的关注[1-5]。

其中压电陶瓷材料是电子陶瓷材料研究的重要方面，在军工和民用方面具有广泛的应用，主要应用于传感器、执行器、滤波器、换能器等。

自19世纪80年代，P.居里和J.居里兄弟在研究石英体时发现压电效应后，从此，压电材料的发展极为迅速。

但压电材料的工程应用则自20世纪40年代中期才得以实现。

传统的压电陶瓷主要以含铅的锆钛酸铅（PZT）系材料为主，其主要成分是氧化铅（60-70%以上）。

氧化铅是一种易挥发的有毒物质，在生产、使用及废弃后的处理过程中，都会给人类和生态环境造成损害。

氧化铅的挥发也会造成陶瓷中化学计量比的偏离，使产品的一致性和重复性降低，需要密封烧结，使成本提高。

欧盟、日本以及我国等地区已经相继立法限制含铅材料的应用[6,7]。

因此开发高性能的无铅压电陶瓷具有非常重要的科学意义和紧迫的市场需求，已经成为研究的热点。

目前研究较多的是钙钛矿型结构无铅压电材料，主要包括钛酸钡（BaTiO3）基（BT基）无铅压电陶瓷、钛酸铋钠[(Bi0.5Na0.5)TiO3]基（BNT基）无铅压电陶瓷和碱金属铌酸钾钠[(K，Na)NbO3]基（KNN基）无铅压电陶瓷[3,8,17]。

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