利用二维开口环阵列实现高Q的共振效应文献综述

 2021-10-24 15:40:23

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1 概述近几十年来,表面等离激元光子学领域取得了许多令人瞩目的新成果,而且由于其独特的光学特性,在化学、生物、信息、能源等领域具有广泛且重要的应用价值。

超表面作为一种人工合成的、具有周期性单元结构的宏观复合表面,因其被设计为具有某种自然界材料所不具备的物理性质,而承载着人们探索新兴领域的好奇心与梦想。

而品质因数( Q ) 是超表面上的谐振模式电磁存储能力的一个重要评价指标。

因此,探究高Q共振模式是研究超表面性能的一个重要研究方向。

近年来,高Q共振模式中的囚禁模共振,因其Q值较高以及形状对称破缺的可塑性较强,越来越受到人们的关注。

2高Q共振模式品质因数(Q)的概念来源于谐振电路,Q值的大小对谐振电路的通频带与选频特性等重要指标都具有直接影响。

从电路的能量观点定义滤波电路的品质因数[1]:其中,分别为电路谐振时在一个周期内的存储能量和损耗能量。

从品质因数能量表达式可以看出谐振电路的储能效率。

从电路的频率观点定义滤波电路的品质因数:其中,为滤波电路的中心谐振频率,为谐振响应的半峰值功率的带宽。

在研究中,超表面的的单元结构可以等效视为一个谐振电路,仍然用式(2)作为品质因数的定义,只不过和具有新的名称:为共振频率,为半峰全宽(Full Width At Half Maxima,FWHM)。

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