氧化锌纳米线在多孔生物质表面的生长文献综述-文献综述网

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文献综述

一、前言氧化锌（ZnO）是一种天然具有n型半导体特性的廉价无机半导体材料，由于其具有高激子结合能（60 meV）、高电子迁移率、压电效应等特殊性质，并且可以通过简单的液相法实现其多种纳米结构的调控制备，在压电换能器、光电器件、紫外探测器、光催化、气体和生物传感器以及发光二极管等领域有着广泛的应用。

[1-12]在目前已报道的多种ZnO纳米结构中，纳米线因具有高纵横比的几何结构和独特的光电性能成为主要的研究对象之一。

本工作拟采用具有丰富孔道结构的生物质材料泥炭藓为模板，通过原子层沉积（ALD）、原位化学反应等方法在孔道表面制备晶种层，在保持其本身孔道结构的同时实现ZnO纳米线的原位生长，并进一步通过对晶种层和实验参数的调整实现对ZnO纳米线形貌结构的调控，探索ZnO纳米线在泥炭藓表面的生长规律。

在此基础上，将ZnO/泥炭藓复合材料应用于吸附和光催化降解有机染料，为开发新型光催化剂提供新思路。

二、ZnO及其常见的制备方法1、化学浴沉积法(CBD)化学浴沉积法(CBD)生长的氧化锌纳米棒（ZnO NRs）是目前最具前景的半导体纳米结构之一，具有广泛的应用前景。

然而，对比实验结果出现在导致高长径比和垂直排列的ZnONRs的微观机制的文献中。

在这方面，阿什福尔德等人采用CBD以硝酸锌和六亚甲基四胺（HMTA）为前驱体实现了ZnONRs的生长，并且证明了HMTA在NRs生长机制中的双重作用。

除了已建立的pH缓冲活性外，HMTA还显示出很强的空间位阻效应[15-17]，沿c轴偏压生长并确保垂直排列。

因此阿什福尔德等人推断出HMTA的这种双重功能应被考虑在内，以避免有害的现象，如合并或抑制NRs，尤其发生在低HMTA时。

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