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文献综述
在过渡金属硫化物中硫化钼作为一个近年来备受瞩目的半导体在众多领域中得到了发展，比如电子晶体管，光敏器件，生物成像等。
少层硫化钼因其传输特性（高的ON/OFF比）以及直接带隙等优点被认为是在光电探测器领域中极具潜力的新材料。
虽然众多研究人员对其进行了大量的研究，但是目前取得的成就只能在大电压以及超小的的照射能量下实现，同时需要牺牲大量的相应和恢复时间。
为解决这一问题，引入等离子体纳米结构（Ag，Au）的光捕获特性 提高光材料接触是一种重要的方法。
当嵌入到半导体中，这些纳米结构通过与入射光耦合在局部表面等离子体共振(LSPR)的频率上，触发了电磁场的再分配、定位和增强。
通过近场电磁场的增强和纳米结构光散射引起的光路径长度的增加，可以改善周围材料的光吸收。
这种光吸收的放大已经被证明是光传感设备的一个关键优势。
此外，入射光可以与嵌入在半导体器件中的贵金属纳米结构的表面等离子体相结合。
随后，等离子体的无辐射衰变产生了所谓的高能热电子。
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