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一、VO2及MIT相变简介钒是VB族元素，作为一种过渡金属元素，其原子外层电子结构为3d34s2,钒元素存在多种价态，可以与氧作用生成一系列复杂的氧化物，在钒的氧化物中，钒存在 2、 3、 4、 5或以混合价态存在，根据V离子的价态可以分为两大体系：(1)V离子单一价态氧化物，如V2O5，VO2,，V2O3；(2)V离子呈现混合价态氧化物；形成Magneli相VnO2n-1(2<7)和wadsley相vno2n 1(n=2,3,6)，钒氧化物通常具有从低温半导体结构到高温金属结构的可逆结构相变特性，其中大多数vox(x值小于2)单晶的结构相转变温度明显低于室温并在室温下表现出金属特性。
[1] 二氧化钒(vo2)是一种电子强关联体系的金属氧化物材料，它具有一阶可逆相变特性。
在临界68℃附近，vo2发生金属-绝缘相变(mit)，由低温单斜相突变到高温四方相，相变前后电阻突变可高达4~5个量级，同时vo2在相变前后对红外光的透射具有调制作用，即由低温高透性变为高温反性。
伴随着的结构相转发生，其电学、光学折射率、光学吸收及磁学性质发生可逆的突变并且相转变迅速完成，这使得二氧化轨在光电转换器件、激光存储材料、热致变色器件、光存储及智能控温材料等领域有着广泛的应用前景，但的金属绝缘体结构相转变的物理机制尚在实验和讨论之中。
[2]="" 二、vo2的相变特点[3]="" vo2在从低温单斜相到高温四方金纽石相的转变过程中，伴随着电学特性和光学特性的转变，这些特性使得vo2成为研究的热点。
单晶的vo2在相变过程中很容易碎裂成粉末而无法应用，薄膜状态的vo2则可ｗ反复经历相变过程而不损坏，因而具有更大的研巧和实用价值。
="" 1.相变温度="" 一般认为，髙纯的vo2薄膜在68℃(341k)时发生金属－绝缘体转变。
vo2薄膜的相变温度还存在一个滞效应，升温和降温过程中的相变温度不一致。
相变温度廻滞的大小与制备方法和工艺参数有密切的关系。
="" 2.电学特性="" 在相变前后，vo2从绝缘态(或半导体态)转变为金属态，其电阻也随之发生突变，转变量级达到3~5个数量级。
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