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一、本课题研究目的GaAs是典型的III-V族化合物半导体材料（Ⅲ-Ⅴ族化合物材料主要包括 GaAs, InP, GaN, AlAs 等二元化合物, 以及由 Ga, As, In, P, A l, N 等 Ⅲ族、Ⅴ族元素构成的三元和四元化合物。
）[1]，具有直接能带隙，带隙宽度为1.42eV(300K)，正好为高吸收率太阳光的值，与硅晶体太阳能电池和薄膜电池相比，GaAs太阳能电池可采用聚光技术和光追踪技术,优势突出。
其优势表现在以下几个方面:①转化效率高。
因GaAs吸收光谱的范围广，能更多地吸收太阳光能量，又可采用太阳光追踪技术和聚光技术，将太阳光能量聚集起来提高了单位面积上光的强度，故而提高了太阳能电池的吸收转化效率;再与太阳光追踪技术结合,让电池组件随太阳的方位变化，时刻保持最佳照射角度，可进一步提高转化效率。
②性能衰减少。
薄膜电池结晶体硅电池的发电效率会在使用中逐渐降低，整体性能衰减较大;而GaAs电池因其由高温合成的化合物半导体,其耐温性能非常好，光电转换衰减慢,使用寿命长，光跟踪技术也相对延长了有效发电时间，能量利用效率更高。
③安装时占地面积小。
GaAs电池采用聚光技术，同时使用逐日和聚焦系统能提高光电转换功率,使得安装面积较小。
因此，是很理想的太阳电池材料。
由于III-V 族三、四元化合物 (GaInP、AlGaInP、GaInAs 等) 半导体材料生长技术日益成熟，使电池的设计更为灵活，可以制作出多结叠层太阳电池，从而大幅度提高太阳电池的效率并降低成本。
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