文献综述
本课题的现状及发展趋势：
MOSFET是金属(metal)－氧化物(oxide)－半导体场效应晶体管(semiconductor)的简称，它是一种表面场效应器件，是靠多数载流子传输电流的单极型器件。MOS场效应晶体管可以以Ge，Si为材料，也可用化合物GaAs、InP等材料制作，目前以使用Si材料的最多。基本结构参数有沟道长度（即源漏两个结之间的距离）、沟道宽度、栅绝缘层厚度、漏区和源区的扩散结深、衬底掺杂浓度等。
自20世纪60年代开发出MOS管以来，由于半导体工艺技术的发展，它的性能不断提高，体积不断减小，价格也不断降低，使其应用越来越广泛，在许多领域代替了双极性晶体管。作为现代信息技术的基础，MOS晶体管的使用几乎无处不在。从日常家用电器到各种国防设备都有MOS管的身影。以MOS晶体管为基础的组成的集成电路的技术性能、产业规模决定着一个国家现代化农业、国防装备和家用电子类消费品的发展水平和国际竞争力。
本课题的价值：
在MOS管不断快速发展的同时也带来了一系列的挑战，例如短沟道效应，栅氧化层漏电和热载流子注入效应等问题。本文研究了SILVACO中的工艺仿真ATHENA和器件仿真ATLAS的基本原理并掌握一些基本的操作。同时也研究了MOS管的基本原理及其制作的基本工艺流程和短沟道效应，分析栅氧氧化、退火和轻掺杂漏区离子注入等工艺条件参数对MOS管器件性能的影响。利用实验室设备研究MOS管的生产，为实验室条件下生产MOS管打下良好基础。
参考文献：
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