文献综述
题目：纳米材料的物理特性分析
摘要： 纳米材料越来越融入到日常的生活当中，对纳米材料的探索也日益增加，很多新型被应用于我们的日常生活，人们开始对新材料的性质进行仿真和实验。新一代集成工艺设计软件SenTaurus Process对纳米尺度的可制造性设计技术的实现提供了可能。
关键词：SenTaurus TCAD SenTaurus Process 纳米锗 MOSFET
1、总述
纳米材料的发展是新科技革命的重要组成部分。纳米科技方法和纳米科技产品逐渐渗透到人类生产生活的各个角落。人们已经意识到纳米级的器件的设计与研发，必须有相应的高精度的工艺级别的仿真工具来支持。新思科技推出的新一代集成工艺设计工具SenTaurus Process解决了纳米尺度的可制造性设计技术难题而突破了这一技术瓶颈⑵。商业技术的计算机辅助设计设备模拟器扩展到允许的电模拟子100纳米锗MOSFETS⑶。
2、国内外研究现状
纳米技术现在涉猎广泛，纳米的分析方法也因为其种类众多、功能丰富、选择性好、灵敏度高等优点，在环境监测、食品安全、以及生物和医学等领域有着广泛的应用。此外，纳米分析传感在工业生产、军事、航天遥感等方面也都有非常重要的应用。纳米材料并不是新的产物，它在早期应用于纳米金，自然界是最好的纳米科学家，我们在自然界发现并探索纳米技术。
纳米材料具有其独特的性能，例如电学性能、光学性能、热学性能、机械性能等。纳米材料的应用也是相当的广泛，它经常应用于纳米电子学、MEMS、NEMS、纳米传感器、纳米催化剂、食品工业、农产品工业、汽车行业、环境卫生及医学等领域。在纳米电子学当中，纳米作为无形的潜在影响力，制约着整个电子行业的发展，随着工艺技术的进步，电子器件大小也逐渐减小。传统的半导体器件有二极管和晶体管，晶体管由两个p-n结构成.有两个常用的方法被应用于场，分别是结型场效应晶体管(JFET)和金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。硅是制作器件的最常见的半导体材料，通常锗和硅合铸来制造成高速的硅锗器件。GaAs产品相对于硅产品要贵很多。近来，MOSFET突显于其他常见的晶体管之上，FET包含三个典型的例子，源极、漏极、栅极。现在，已经制造出栅极长度低于40nm的单个MOSFET。
纳米技术有积极的一面，也同样存在风险，在过去的十年里，一种叫做纳米（生态）毒物学的全新研究领域应运而生，主要研究纳米颗粒对生物的影响，接下来，科学家们将会更加关注工程纳米材料相关的健康和环境问题，降低这种危险。
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