C3N4/Co3O4纳米结的制备及其光催化性能研究文献综述-文献综述网

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文献综述1、研究背景及意义：工业发展不仅给人类的生活带来了日新月异的变化，也给人类赖以生存的环境造成了巨大的污染危害。

【1】近年来，半导体材料催化氧化降解有机污染物成为科学工作者的研究热点。

作为p型磁性半导体，Co3O4由于其具有光催化性能而被研究。

而研究更高性能的Co3O4是具有现实意义的。

2、Co3O4光催化材料[2]【3】尖晶石钴氧化物（Co3O4）由于其在多相催化、磁性材料、锂电池、固态传感器和电化学设备等领域优秀的功能性为大家所熟知。

【4】最近，基于其适当的光学带隙，人们探索用它来作为可见光吸收的催化剂，尽管其效率仍然很低。

为了提高Co3O4的光催化效率，开发出了很多的方法，例如掺杂异质结合和扩大暴露面，其中后一种是新的方法。

光催化剂的反应性与暴露的表面有很大的关系，因此暴露更多的高反应面有助于反应性的提高，这也是发展新型光催化材料的一个关键问题。

氧化钛多晶型物的理论和实验研究表面，亚稳的{001}面锐钛矿比其他结构更具活性。

因此，更多地暴露{001}面有助于提高活性。

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