热压烧结SiC基复相材料烧结性能和导热性能的研究文献综述

 2021-09-27 12:09

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热压烧结SiC基复相材料烧结性能和导热性能的研究综述1 引言行波管是一种重要的微波放大器，它被广泛地应用于各种国防重点工程，但由于其具有慢波结构的特点，所以十分容易产生有害振荡。

为此，我们必须在慢线区域内放置衰减材料来吸收非设计模式波，消除振荡，以确保获得既定的高频参数。

衰减材料是一种高频率的损耗材料，它能够将电磁能转换成热能和其他形式的能量从而将其消耗掉。

碳化硅（SiC）具有较高硬度，耐磨，耐高温，抗蠕变和抗氧化性较好；它是一种宽带隙的半导体材料，热导率和电导率能够很好的被控制，是衰减材料中一种可靠的衰减剂，但由于键与键之间主要是共价键，所以很难烧结致密。

氮化铝(AlN)是一种多功能宽禁带的半导体材料，具有热导率高、绝缘性、介电常数低及无毒性等优异的物理性能。

70年代末，Cutler等人研究发现 SiC和AlN之间有着极好的晶化相容性[1]。

二者咱一定条件下能形成完全固溶体；随着固溶体的形成，材料的烧结活性，显微结构，力学性能，功能特性及抗氧化性均得到较大程度的改善和提高。

以前的研究多集中于机械混合法制备SiC-AlN固溶体，这种传统的工艺方法由于自身的缺陷和局限性，形成SiC-AlN的条件极其苛刻；而采用原位化学反应合成工艺，由于在SiC-AlN复合粉末制备中易于实现精确的微区化学配比，因此有利于SiC、AlN在原子级水平上的复合、均化，可望改善SiC-AlN固溶体苛刻的制备工艺。

2 SiC-AlN的性能2.1 AlN基本性质AlN为共价键化合物，属于六方晶系纤锌矿型结构的，[AlN4]结合方式为四面体。

AlN晶体的晶格常数为a＝0.31114nm，c＝0.49792nm，其结构示意图见图1-12。

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