无压烧结SiC基复相材料介电性能的研究文献综述

 2021-09-27 12:09

毕业论文课题相关文献综述

1微波衰减材料

1.1微波衰减材料简介

在许多微波真空电子器件(行波管、返波管、回旋管、前向波放大器、同轴磁控管等)中经常需要放置衰减器,用来提供匹配的电磁终端、抑制带边振荡和高次或寄生模式的振荡以及消除其它非设计模式等作用,如在行波管内设置集中衰减器或损耗纽扣,以切断反馈途径,抑制自激振荡;在速调管谐振腔内设置衰减钉以降低谐振腔品质因数,展宽工作频带;在磁控管内设置衰减器以吸收掉寄生干扰模式(缝隙模、TE121模、背腔等)[1],防止管子失控或停振。

如果具有这些功能的衰减器性能不稳定,许多微波真空电子器件将不能正常工作,甚至报废[2]。而这些衰减器是由微波衰减材料制成的,因此衰减材料是微波真空电子器件中一种至关重要的功能材料,它的性能对整管性能有重要影响。图1为微波体衰减瓷应用的例子[3]。

(a)合腔行波管内应用(b)速调管内应用

图1微波体衰减瓷应用的例子

1.2SiC微波衰减材料

SiC是一种宽带隙的半导体材料，其热导率高、电导率可控，具有良好的高温稳定性，是衰减材料中可靠的衰减剂，但由于其强共价特性难以单独烧结致密[4]。

碳化硅是典型的（带隙2ev）半导体SiC中每个原子都被四个异种原子包围，形成定向四面体结构，并有一定程度极化。其中Si的电负性为1.8，C的电负性为2.6，所以离子键对键合的贡献约12%，SiC晶体具有很强的共价性，所以SiC是一种能量很稳定的结构，其原子化能值为1250kJ/mol。SiC主要有立方晶系的β-SiC和六方晶系及三方晶系α-SiC两种类型。碳化硅的多种型体之间可以进行热转换。在1600℃一下，SiC晶型为β-SiC形式；当温度高于1600℃，β-SiC转变成α-SiC的各种多型体：4H-SiC在2000℃左右容易生成；2100℃以上的高温生成15R或6H多型体；对于6H-SiC，在2200℃以上的高温下依然稳定，在光电子学、高温电子学、高频率大功率器件中具有应用价值。SiC电阻率较大，在不同温度和处理条件下，其电阻率一般在10-1~103Ωm，可以通过改性来调整电阻率，从而达到最佳吸波性能。碳化硅禁带宽度窄，在外加电磁场下，价带上的电子受激跃迁至导带，形成自由电子，参与电导损耗。SiC作为微波吸收剂被广泛用于各基体材料中，制备出射频吸波材料。AlN-SiC复相材料具有高频衰减特性，但是由于SiC的强共价性，随着SiC含量的增加，复相材料烧结性能迅速下降，因此需要对SiC的烧结进行探索[5]。

剩余内容已隐藏，您需要先支付 10元 才能查看该篇文章全部内容！立即支付

以上是毕业论文文献综述，课题毕业论文、任务书、外文翻译、程序设计、图纸设计等资料可联系客服协助查找。

您可能感兴趣的文章