全文总字数：6406字
文献综述
一、 阻变存储器研究进展1. 阻变存储器研究进展.上世纪70年代，蔡绍棠教授[1]从物理量之间的对称关系上推断出除电阻、电容和电感器件之外，还应当存在着一种代表电荷与磁通量之间关系的器件，其电阻将随通过电流量而改变同时并具有在电流停止后继续保持的特性。
而电阻转变现象则在上世纪60年代就已经被研究者在Au/SiO/Al体系中观察到[2]，但在当时这类器件并未受到研究者重视。
近年来，传统Flash技术在特征尺寸不断缩小的过程中遇到了瓶颈，人们才开始对RRAM的电阻转变特性重新重视起来。
RRAM技术通过薄膜电阻在高、低阻态的电致可逆转变实现信息存储，与基于电荷存储的Flash技术有着本质区别，从而减弱了其在尺寸缩小的过程中受到的漏电流影响。
2002年，夏普公司在国际电子器件会议上首次发表了RRAM的相关文章，几年内，包括美国Spansion、韩国三星、亚利桑那州立大学等机构在内的多家研究机构制备出了基于固体电介质材料的RRAM器件[3]。
期间，二元氧化物由于组分简单，同时具有与CMOS工艺的高度兼容性，受到业界重视。
2005年，韩国三星公司制备了基于50nm技术的交叉阵列RRAM[4]，具有小电流工作和较好的转变电压分布。
2009年，台湾工研院采用台积电0.18um工艺制成了1Kb的RRAM阵列电路[5]，拥有>106的转变次数和长达10年的非挥发特性。
2013年，美国闪迪公司与日本东芝公司共同报道了基于24nm工艺的32GbRRAM样品[6]。
剩余内容已隐藏，您需要先支付 10元 才能查看该篇文章全部内容！立即支付
