InAs/GaAs量子点尺寸对能带结构影响研究文献综述

 2021-11-02 20:44:11

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一、课题背景新中国成立以来,中国的经济取得了令世界瞩目的成绩。

中国工业的高增长带有明显的高投资、高能耗和高排放的特征。

因而随着中国工业化的不断发展,能源的过度消耗也成了我们急需解决一大问题。

2003 年后,中国的重化工业化趋势再度显现,重化工业行业的急剧膨胀,中国的能耗和排放再次大幅增长。

[1] 不仅是中国,全球都在面临着能源枯竭和坏境恶化的局面。

为了应对能有危机,各国学者们纷纷将眼光投向了太阳能,致力于将太阳能转化为电能以供使用。

于是,有着永久性、清洁性和灵活性三大优点[2]的太阳能电池也就成为了研发的关键。

太阳能电池问世已经160多年,尽管太阳能电池有着如此多的优势,却还是未能得到广泛使用,主要有两个方面的原因:自然因素和技术制约。

传统的InAs/GaAs量子点太阳能电池由于俄歇复合导致其能够达到的最高效率仅为19.4%。

[3] 而II 类的量子点结构中的电子和空穴由于能带交错被限制在不同区域,这就大大降低了俄歇复合。

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